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J-GLOBAL ID：200903036553332397

半導体装置とその製造方法

Inventor： 北平 康雄 ,  齋藤 孝昭
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995105406
Publication number (International publication number)：1996306911
Application date： Apr. 28, 1995
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 高温逆バイアス(BT)試験においても耐圧の劣化を生じ難い、高信頼性を有する高耐圧P基板型半導体装置を提供する。【構成】 P型半導体層21の主面にN型の拡散領域22とP+型ソース領域23およびゲート電極25を設けてMOSセルとする。MOSセルを取り囲むようにN型ガードリング領域27を複数本設ける。ガードリング領域27と最該殻22aとの間、およびガードリング領域27とガードリング領域27との間に前記MOSセルの方向に向かって延在するフィールド電極31を形成し、電極32によりガードリング領域27と電気的に同電位とする。

Claim (excerpt)：

共通ドレインとなるP型の半導体層と、前記P型の半導体層の表面に形成したN型の拡散領域と、前記N型の拡散領域の表面に形成したP型のソース領域と、前記N型の拡散領域をチャンネルとし表面のゲート絶縁膜の上に形成したゲート電極と、前記ゲート電極を形成した素子領域の周囲を囲むN型のガードリング領域と、前記P型の半導体層の表面を被覆する絶縁膜と、前記絶縁膜の上を、前記ガードリング領域から前記N型の拡散領域の方向に向かって延在し前記N型の拡散領域の端部の上まで達するフィールド電極と、前記ガードリングと前記フィールド電極とを電気的に接続する接続手段と、前記フィールド電極を被覆する第2の絶縁膜と、前記絶縁膜の開口を介して前記N型の拡散領域と前記ソース領域にコンタクトし、前記第2の絶縁膜の上に延在するソース電極と、を具備することを特徴とする半導体装置。