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J-GLOBAL ID：200903036560848269
薄膜衝撃試験機
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岩佐 義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991277644
Publication number (International publication number)：1993118977
Application date： Oct. 24, 1991
Publication date： May. 14, 1993
Summary：
【要約】【構成】 トンネル電流あるいは原子間力を検知する圧子を微小かつ高速で加振することにより薄膜を被覆した試験片に衝撃力を加える。衝撃力を負荷した後、衝撃部の破壊状態を圧子と試験片間に流れるトンネル電流によって観察するとともに、衝撃破壊の程度を破壊新生面から放出されるエキソ電子によって定量化する。【効果】 従来困難であったサブサブミクロン膜厚の衝撃破壊状態の観察を行うことができるとともに、破壊に伴って発生するエキソ電子から衝撃破壊状態を定量化できる。
Claim (excerpt)：
基板上に少なくとも1層の薄膜が形成されている試験片に衝撃変形を加える導電性のダイヤモンド圧子と、この圧子を3次元方向に移動させる圧電素子と、この圧電素子を駆動する圧電素子駆動回路と、前記ダイヤモンド圧子と試験片との間に電圧を加えた際に流れるトンネル電流を検出するトンネル電流検出回路と、前記ダイヤモンド圧子により試験片表面に衝撃力を負荷するために圧電素子を微小かつ高速で振動させる加振回路と、衝撃力の負荷によって前記試験片に生じた破壊の程度を検知するエキソ電子検出計を備えたことを特徴とする薄膜衝撃試験機。
IPC (4)：
G01N 3/30
, G01B 7/34
, G01N 3/42
, G01P 15/00
