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J-GLOBAL ID：200903036563018100

窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法

Inventor： 向井 孝志 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991352259
Publication number (International publication number)：1993166923
Application date： Dec. 12, 1991
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 サファイアを基板とする窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーをチップ状にカットするに際し、切断面のクラック、チッピングの発生を防止し、歩留良く、所望の形、サイズにカットする方法を提供する。【構成】 サファイア基板の厚さを100〜250μmとし、さらに、前記ウエハーの基板側、もしくは窒化ガリウム系化合物半導体層側、またはその両側をスクライブして切断する。

Claim (excerpt)：

サファイア基板上に一般式GaXAl1-XN(0≦X≦1)で表されるGaXAl1-XN(0≦X≦1)系化合物半導体が積層されたウエハーをチップ状に切断する方法において、前記サファイア基板の厚さを100〜250μmとし、さらに、前記ウエハーの基板側、もしくは窒化ガリウム系化合物半導体層側、またはその両側をスクライブして切断することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法。

IPC (3)：

H01L 21/78 ,  H01L 27/12 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭55-153347
  
• 特公昭58-015480