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J-GLOBAL ID：200903036563700068

窒化物半導体発光素子

Inventor： 宇田川 隆
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (1)： 福田 武通 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997356997
Publication number (International publication number)：1999186603
Application date： Dec. 25, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 従属相を効率良く量子ドットとして作用させるに必要な構成要件を明確とすることにより、発光層から得られる発光特性を、安定した優れたものとする。【解決手段】 この発明は、インジウム組成を互いに異にする主体相21と従属相22とから成る多相構造のインジウム含有III 族窒化物半導体層を発光層2とする窒化物半導体発光素子において、上記従属相22を、周囲の主体相21との境界に歪層23を有する結晶体から主に構成する、ことを特徴としている。

Claim (excerpt)：

インジウム組成を互いに異にする主体相と従属相とから成る多相構造のインジウム含有III 族窒化物半導体層を発光層とする窒化物半導体発光素子において、上記従属相を、その周囲の主体相との境界に歪層を有する結晶体から主に構成する、ことを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

• 特開平4-112584
  
• 半導体量子箱の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-041029   Applicant：大同特殊鋼株式会社
• 3次元量子閉じ込めを利用した半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-222107   Applicant：富士通株式会社
• 半導体量子箱の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-270356   Applicant：オムロン株式会社
• 半導体レーザー装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-189243   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平1-319985
  
• 青色発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-238553   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 半導体発光/検出デバイスとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-039678   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 短波長発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-208486   Applicant：昭和電工株式会社