Pat
J-GLOBAL ID：200903036563700068
窒化物半導体発光素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
福田 武通 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997356997
Publication number (International publication number)：1999186603
Application date： Dec. 25, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：
【要約】【課題】 従属相を効率良く量子ドットとして作用させるに必要な構成要件を明確とすることにより、発光層から得られる発光特性を、安定した優れたものとする。【解決手段】 この発明は、インジウム組成を互いに異にする主体相21と従属相22とから成る多相構造のインジウム含有III 族窒化物半導体層を発光層2とする窒化物半導体発光素子において、上記従属相22を、周囲の主体相21との境界に歪層23を有する結晶体から主に構成する、ことを特徴としている。
Claim (excerpt)：
インジウム組成を互いに異にする主体相と従属相とから成る多相構造のインジウム含有III 族窒化物半導体層を発光層とする窒化物半導体発光素子において、上記従属相を、その周囲の主体相との境界に歪層を有する結晶体から主に構成する、ことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
Return to Previous Page
