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J-GLOBAL ID:200903036567866840
半導体装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
則近 憲佑
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995157273
Publication number (International publication number):1997008295
Application date: Jun. 23, 1995
Publication date: Jan. 10, 1997
Summary:
【要約】【目的】 本発明は、半導体素子で発生したフォトンが隣接する素子に影響を与えるのを防ぎ、信頼性が向上させ、消費電力を低減し、高集積化を可能とすることを目的とする。【構成】 本発明は、半導体基板上に形成された半導体素子を具備する半導体装置において、半導体素子の周囲をとり囲むようフォトンを遮蔽する手段33を配設したことを特徴とする。
Claim (excerpt):
半導体基板上に形成された半導体素子を具備する半導体装置において、前記半導体素子の周囲をとり囲むようフォトンを遮蔽する手段を配設したことを特徴とする半導体装置。
IPC (8):
H01L 29/78
, H01L 21/76
, H01L 21/8234
, H01L 27/088
, H01L 27/115
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
FI (6):
H01L 29/78 653 B
, H01L 21/76 Z
, H01L 27/08 102 E
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 301 V
, H01L 29/78 371
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
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特開平1-192168
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特開昭57-157563
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特開昭60-253286
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特開平4-302477
-
特開平4-207069
-
特開昭63-174373
-
ダイナミック型半導体記憶装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-100487
Applicant:日本電気株式会社
-
ダイナミックランダムアクセスメモリ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-273347
Applicant:日本電気株式会社
-
不揮発性半導体記憶装置とその書き込み特性回復方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-291556
Applicant:日本電気株式会社
-
半導体集積回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-064219
Applicant:新日本製鐵株式会社
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