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J-GLOBAL ID：200903036573525140

半導体熱電池

Inventor： 高 博 ,  横山 三郎
Applicant, Patent owner： 高 博 ,  横山 三郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996160538
Publication number (International publication number)：1997322574
Application date： Jun. 01, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【目的】 P型およびN型半導体よりなる熱電素子の熱電効果を利用して、電気エネルギ-を熱エネルギ-に変換し、その熱エネルギ-の損失を少なくして貯蔵したり、あるいは加熱により熱エネルギ-を貯蔵し、必要時に貯蔵した熱エネルギ-を電気エネルギ-として取り出すようにするもので、別に付加的装置を設けることなく、また有害廃棄物も出さない、構成が簡単かつ安全性、信頼性が高くて、安価な小型のエネルギ-貯蔵器としての熱電池を得ることを目的とする。【構成】 P型およびN型半導体よりなる熱電素子として、例えば鉄シリサイド(FeSi2 )系遷移金属けい化物からなるものであって、この熱電素子のP-N接合部を、熱容量の大きな導電性材料体で接合するか、あるいは導電性材料体で接合した接合導体部を断熱材料で覆った構成とする。

Claim (excerpt)：

P型およびN型半導体よりなる熱電素子、該熱電素子のP-N接合部を、熱容量の大きな導電性材料体で接合したことを特徴とする半導体熱電池。

IPC (5)：

H02N 11/00 ,  H01L 35/08 ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/30 ,  H01M 6/36

FI (5)：

H02N 11/00 A ,  H01L 35/08 ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/30 ,  H01M 6/36 C