太陽電池及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：菅原正倫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003131797
Publication number (International publication number)：2004335867
Application date： May. 09, 2003
Publication date： Nov. 25, 2004
Summary：

【課題】パッシベーション効果に優れ、また、パッシベーション効果の経時劣化を生じにくい絶縁膜を有した太陽電池を提供する。【解決手段】太陽電池100においては、第一主表面に受光面が形成されるとともに、該受光面に照射される光に基づいて光起電力を発生させる半導体太陽電池基板66を備え、該半導体太陽電池基板66の受光面が、カチオン成分の主体が珪素である無機絶縁材料からなる受光面側絶縁膜61にて被覆され、該受光面側絶縁膜61を、水素含有率が10原子%未満の低水素含有無機絶縁膜として構成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第一主表面に受光面が形成されるとともに、該受光面に照射される光に基づいて光起電力を発生させる半導体太陽電池基板を備え、該半導体太陽電池基板の前記受光面が、カチオン成分の主体が珪素である無機絶縁材料からなる無機絶縁膜としての受光面側絶縁膜にて被覆され、該受光面側絶縁膜を、水素含有率が10原子%未満の低水素含有無機絶縁膜として構成したことを特徴とする太陽電池。

IPC (2)：

H01L31/04 , H01L21/318

FI (2)：

H01L31/04 F , H01L21/318 B

F-Term (8)：

5F051BA18 , 5F051CB12 , 5F051HA03 , 5F058BA20 , 5F058BC08 , 5F058BE03 , 5F058BF02 , 5F058BJ01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

特表平2-500397
太陽電池及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-307253 Applicant：シャープ株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-007648 Applicant：日本電気株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Cat-CVD SiNx膜の面内均一性向上に関する検討

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