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J-GLOBAL ID:200903036592502933
出力段回路
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
宮井 暎夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997152123
Publication number (International publication number):1998341141
Application date: Jun. 10, 1997
Publication date: Dec. 22, 1998
Summary:
【要約】【課題】 電源回路などの出力段をMOSトランジスタを用いて構成して低消費電力化すると同時に、バイポーラトランジスタを用いた時と同様にドレイン電流が逆向きには流れず、しかもダイオードによる逆流防止回路のような損失電圧を持たない回路を実現する。【解決手段】 PチャンネルMOS出力トランジスタ100と直列に電流遮断スイッチ36を配し、電流遮断スイッチ36のON/OFF制御を電源電圧監視回路37で行う。これにより、例えば電源端子1の電位が低下したときでも、PチャネルMOS出力トランジスタ100のドレイン13とバックゲート11間の寄生ダイオードによる逆流および差動増幅器9の電源電圧低下によりゲート10の電位が低下した場合の逆流のいずれをも防止することができる。電流遮断スイッチとしてはPチャンネルMOSトランジスタを使用することができる。
Claim (excerpt):
MOS出力トランジスタと、このMOS出力トランジスタと外部電源電圧が加えられる電源端子との間に挿入した電流遮断スイッチと、前記電源端子に加えられる外部電源電圧を監視しその値が所定値より低下したときに前記電流遮断スイッチを強制的に遮断する電源電圧監視回路とを備えた出力段回路。
IPC (5):
H03K 17/687
, G05F 1/56 320
, H01L 21/8249
, H01L 27/06
, H03K 17/24
FI (4):
H03K 17/687 A
, G05F 1/56 320 G
, H03K 17/24
, H01L 27/06 321 A
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (8)
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PMOS出力回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-014191
Applicant:三菱電機株式会社
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特開昭63-307510
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PMOS出力回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-182416
Applicant:三菱電機株式会社
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特開昭60-020394
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半導体集積回路装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-126948
Applicant:日本電気株式会社
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IGBTの駆動回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-331225
Applicant:株式会社ユアサコーポレーシヨン
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特開平3-098312
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スイッチング半導体素子の制御回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-241167
Applicant:富士電機株式会社
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Cited by examiner (3)
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PMOS出力回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-014191
Applicant:三菱電機株式会社
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特開昭63-307510
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PMOS出力回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-182416
Applicant:三菱電機株式会社
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