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J-GLOBAL ID：200903036600242130

配線形成方法

Inventor： 松崎 栄 ,  中田 博之
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立マイコンシステム
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992329103
Publication number (International publication number)：1994177085
Application date： Dec. 09, 1992
Publication date： Jun. 24, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高融点金属4を配線材料の主体とする配線形成技術において、高融点金属層の異方性エッチングによる微細加工を実現できる。【構成】 配線形成方法において、基板2の主表面上の全面に下地絶縁層3を介在して高融点金属層4を堆積する工程、高融点金属層4の一部の領域の表面上にエッチングマスク5を形成する工程、Cl2 及びO2 の混合エッチングガスを使用するドライエッチング法により、前記基板2の冷却なしで高融点金属層4のエッチングマスク5以外の領域を表面から膜厚方向に一部エッチングする工程、基板2の冷却ありでマイクロ波ドライエッチング法により、高融点金属層4のエッチングマスク5以外の領域の残部をエッチングする工程の夫々を具備する。

Claim (excerpt)：

下記の工程を具備したことを特徴する配線形成方法。(1)基板の主表面上の全面に下地絶縁層を介在して高融点金属層を堆積する工程、(2)前記高融点金属層の一部の領域の表面上にエッチングマスクを形成する工程、(3)塩素ガス及び酸素ガスの混合エッチングガスを使用するドライエッチング法により、前記基板を冷却しない状態において、前記高融点金属層の前記エッチングマスク以外の領域を表面から膜厚方向に一部エッチングする工程、(4)前記基板を冷却した状態に変更し、引き続き、マイクロ波ドライエッチング法により、前記高融点金属層の前記エッチングマスク以外の領域の残部をエッチングする工程。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3205