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J-GLOBAL ID：200903036624405811

半導体装置の製造方法及びそれに用いられる半導体装置の製造装置

Inventor： 小野塚 利彦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 大日方 富雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992237849
Publication number (International publication number)：1994084783
Application date： Sep. 07, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 化学増幅型レジストを用いて、高寸法精度の微細パターンの形成を可能ならしめる半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。【構成】 この半導体装置の製造方法は、ベーク処理工程後、触媒不活性処理工程を経てから、現像処理工程を行なうものである。触媒不活性処理工程においては、化学増幅型レジスト2をHMDSなどよりなる塩基性雰囲気にさらす。これによって、化学増幅型レジスト2の露光部分21および拡散部分22中に存在する触媒物質3とHMDSのアミン基4とが中和反応を起こして結合し、化学増幅型レジスト2中から触媒物質3が除去されるか、その触媒としての機能が消失される。また、これに用いられる製造装置5には、ベークユニット50と現像ユニット51との間の、半導体ウェハ1の搬送経路にHMDSの蒸気を充填させた触媒不活性処理部52が設けられている。

Claim (excerpt)：

被加工物上に被着させた感光性材料を露光して該感光性材料中に触媒物質を発生させ、ベーク処理により前記触媒物質を触媒とする触媒反応を促進させて前記感光性材料の所定部分の性質を変化させた後、現像処理により感光性材料の不要部分を除去することによって、被加工物上に感光性材料の所定パターンを形成するにあたり、ベーク処理後に速やかに前記触媒物質を前記感光性材料中から除去又はその触媒としての機能を消失させ得る触媒不活性処理工程を設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。