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J-GLOBAL ID：200903036645372026

ポジ型ホトレジスト組成物

Inventor： 新倉 聡 ,  越山 淳 ,  加藤 哲也 ,  高橋 浩一 ,  小原 秀克 ,  中山 寿昌
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (1)： 阿形 明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994126372
Publication number (International publication number)：1995333840
Application date： Jun. 08, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【構成】 (A)アルカリ可溶性樹脂、(B)キノンジアジド基含有化合物及び(C)一般式【化1】(Rは低級ヒドロキシアルキル基、R′は低級アルキル基又は低級ヒドロキシアルキル基、nは0又は1,2の整数)で表わされるピリジン誘導体の少なくとも1種を含有して成るポジ型ホトレジスト組成物である。(C)成分の好適含有量は組成物の全固形分に基づき、0.1〜10重量%である。【効果】 シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などを有する基板との密着性に優れたレジストパターンを形成しうるとともに、昇華物によるエッチング不良がなく、感度の経時変化及び残膜率の経時変化が少ないので、半導体デバイスやTFTなどの製造に有用である。

Claim (excerpt)：

(A)アルカリ可溶性樹脂、(B)キノンジアジド基含有化合物及び(C)一般式【化1】(式中のRは低級ヒドロキシアルキル基、R′は低級アルキル基又は低級ヒドロキシアルキル基、nは0又は1,2の整数である)で表わされるピリジン誘導体の少なくとも1種を含有することを特徴とするポジ型ホトレジスト組成物。

IPC (3)：

G03F 7/022 ,  G03F 7/085 ,  H01L 21/027