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J-GLOBAL ID：200903036646442117

高熱伝導SiCセラミックス及びその製造法

Inventor： 安富 義幸 ,  菊池 茂 ,  斉藤 幸雄 ,  近藤 次郎
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 高橋 明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993067919
Publication number (International publication number)：1994279119
Application date： Mar. 26, 1993
Publication date： Oct. 04, 1994
Summary：

【要約】【構成】 B含有量5wt%、C含有量5wt%の粒径0.5μm以下のβ-SiC粉末と、成形用バインダとの混合粉末で成形体を形成し、該成形体を無加圧で不活性ガスまたは不活性ガス+水素中で2100〜2500°Cで5〜300分加熱することによりSiC焼結体中のSiC成分の50%以上がβ-SiCで、該β-SiCがアスペクト比20以上のβ-SiC粒子が20vol%以上分散している高熱伝導SiCセラミックスにある。【効果】熱伝導率130W/m・K以上の高熱伝導性,高靭性の焼結体が無加圧で得られるので複雑形状品に対応でき、原子力プラントの核融合炉第1壁部材、ガスタービン用翼部材、燃焼器部材、シュラウド部材など耐熱性や熱衝撃性を要求される部材として好適である。

Claim (excerpt)：

アスペクト比20以上のβ-SiC粒子が20vol%以上分散している焼結体からなることを特徴とする高熱伝導SiCセラミックス。

IPC (4)：

C04B 35/56 101 ,  C04B 35/56 ,  C01B 31/36 ,  G21B 1/00