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J-GLOBAL ID：200903036651574633

化合物半導体素子

Inventor： 宇田川 隆
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (1)： 矢口 平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996261044
Publication number (International publication number)：1998107315
Application date： Oct. 01, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 形成が容易で優れた素子特性を安定して与えるの活性層を提供する。【解決手段】 成膜が容易な低インジウム組成比のIII 族窒化物化合物半導体からなる微小結晶体と、結晶体構成材料よりも電子親和力をより小とするIII 族窒化物化合物半導体からなる母層体の2相から活性層を形成する。

Claim (excerpt)：

インジウムを含有してなるIII 族窒化物化合物半導体を活性層として具備してなる化合物半導体素子にあって、インジウムを含有するIII 族窒化物化合物半導体からなる結晶体と、該結晶体よりも電子親和力を小とするIII 族窒化物化合物半導体材料から構成された母体層との2相からなる活性層を備えた化合物半導体素子。