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J-GLOBAL ID：200903036662808997

発光半導体装置およびその製造方法

Inventor： 山田 雅雄
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992220292
Publication number (International publication number)：1994069539
Application date： Aug. 19, 1992
Publication date： Mar. 11, 1994
Summary：

【要約】【目的】 IV族半導体を用いた発光半導体装置に関し、新規な構成を有する発光半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 直径10nmより細いSiCの量子細線束を含む発光層と、該発光層に接続した電気的付勢手段を有する。

Claim (excerpt)：

直径10nmより細いSiCの量子細線束を含む発光層と、該発光層に接続した電気的付勢手段を有する発光半導体装置。