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J-GLOBAL ID：200903036671961099

シリコン単結晶棒およびその引上げ方法

Inventor： 中嶋 健 ,  降屋 久 ,  新行内 隆之
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社
Agent (1)： 安倍 逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993092064
Publication number (International publication number)：1994279188
Application date： Mar. 26, 1993
Publication date： Oct. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 絶縁耐圧などの電気特性の向上した半導体デバイスを製造することができるシリコン単結晶棒およびその製造方法を提供する。【構成】 シリコン単結晶棒のCOPの密度を104個/cm3以下、もしくは、そのFPDの密度を104個/cm3以下、または、そのLSTD密度を104個/cm3以下とする。このシリコン単結晶棒からシリコンウェーハを製造し、このシリコンウェーハにMOSキャパシタを形成すると、その酸化膜の絶縁耐圧が向上している。すなわち、電気的特性の優れた半導体デバイスを形成できる。このシリコン単結晶棒は1200°C〜1420°Cに1時間以上保持して引き上げる。

Claim (excerpt)：

COPの密度が104個/cm3以下、もしくは、FPDの密度が104個/cm3以下、または、LSTD(赤外散乱体)の密度が104個/cm3以下であることを特徴とするシリコン単結晶棒。

IPC (4)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06 ,  C30B 15/14 ,  H01L 21/208