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J-GLOBAL ID：200903036697842500

半導体レーザ装置及びその動作方法

Inventor： 国井 達夫 ,  加藤 幸雄 ,  村井 仁
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995225083
Publication number (International publication number)：1997069666
Application date： Sep. 01, 1995
Publication date： Mar. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】 チャープグレーティングを有する半導体レーザ装置と同様の特性を具える半導体レーザ装置を、製造効率を劣化することなく得る方法とその装置。【解決手段】 下部電極10の上にn-InPクラッド層12があり、n-InPクラッド層12の導波路領域16が形成される部分には、一定のピッチのグレーティングが形成されており、そのグレーティング上に導波路領域16が形成される。n-InPクラッド層12のグレーティングが形成されていない部分には、活性領域14が形成されて、活性領域14と導波路領域16とから共振器32がなる。共振器32の上にp-InPクラッド層18があり、その上にキャップ層20がある。活性領域14の上方のキャップ層20の部分に、上部電極22があり、導波路領域16の上方のキャップ層20の部分に、絶縁膜24がある。そして、絶縁膜24の上に、抵抗加熱膜H1 、H2 、H3 が形成される。

Claim (excerpt)：

導波路領域に一定間隔の凹凸を持つ分布反射器を有する半導体レーザ装置において、導波路領域の温度を変化させ、該導波路方向に周期的な熱勾配を生じさせる複数個の発熱体を一定間隔で設けてなることを特徴とする半導体レーザ装置。