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J-GLOBAL ID：200903036700438244

半導体メモリ装置およびその製造方法

Inventor：
安 智弘

About 安 智弘


Applicant, Patent owner：
三星電子株式会社

About 三星電子株式会社


Agent (1)： 服部 雅紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992224227
Publication number (International publication number)：1993218333
Application date： Aug. 24, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 半導体メモリ装置およびその製造方法を提供する。【構成】 半導体メモリ装置の製造方法は半導体基板上に第1導電層46を形成する工程、前記第1導電層上に第1の第1物質層からなる第1パターン70を形成する工程、結果物上に第1の第2物質層からなる第1の側壁スペーサ80aを形成する工程、前記第1の側壁スペーサを食刻マスクとして前記第1の側壁スペーサ下部に形成されている物質層を食刻する工程を含むキャパシタの製造工程を含む。【効果】 高集積化および高信頼度の半導体メモリ装置製造を可能にする。
Claim (excerpt)：
半導体基板の表面を基準としたとき、ネガティブでない傾斜(θ≧90°)を有する側壁を備えるストリッジ電極を含むキャパシタを含む半導体メモリ装置。
IPC (2)：
H01L 27/108 ,  H01L 27/04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開平1-243573
  • 特開平3-142966
  • 特開昭62-128168
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