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J-GLOBAL ID：200903036706424970
電界効果トランジスタ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994224499
Publication number (International publication number)：1996088234
Application date： Sep. 20, 1994
Publication date： Apr. 02, 1996
Summary：
【要約】【目的】 ソース抵抗を低減してgmを増大させることのできる電界効果トランジスタを提供する。【構成】 能動層となる第1の半導体層4と第2の半導体層16とのサイドコンタクト91における、それぞれの伝導帯の底部のエネルギー準位(それぞれEc<SB>1</SB>およびEc<SB>2</SB>と記述する)のエネルギー的な差ΔEc=Ec<SB>1</SB>-Ec<SB>2</SB>が、Ec<SB>1</SB>-Ef<ΔEc<Ef-Ec<SB>2</SB>なる条件を満たす構成とする。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に、能動層となる第1の半導体層、該第1の半導体層を流れる電流量を制御するゲート電極、および前記第1の半導体層の両側面部に接合した第2の半導体層および第3の半導体層を有する電界効果トランジスタにおいて、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との接合部分付近における前記第1の半導体層の伝導帯の底部Ec1と前記第2の半導体層の伝導帯の底部Ec2とのエネルギー的な差ΔEc=Ec1-Ec2が前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との接合部分において、【数1】を満たすことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (2)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
