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J-GLOBAL ID:200903036706872094
プラズマ発生方法及びプラズマ発生装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
前田 弘 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993351189
Publication number (International publication number):1995201496
Application date: Dec. 29, 1993
Publication date: Aug. 04, 1995
Summary:
【要約】【目的】 高真空の下で高密度かつ均一性のよいプラズマを発生させるためのプラズマ発生装置及びプラズマ発生方法を提供する。【構成】 チャンバ1内に、高周波電源10に接続される電圧印加用電極である下部電極2と、アース電極である上部電極3と、下部電極2との間で容量的に結合された側方電極4とを配設する。減圧手段により、チャンバ1内を真空状態まで減圧した後、高周波電源10から下部電極2に高周波電力を供給すると、直列共振現象が生じ、通常の電源電圧では生じがたい高い電圧が下部電極2に印加される。これにより、高真空でも容易に放電が生じてプラズマが発生する。高真空中では、プラズマ中でのイオンの平均自由行程が長くなるので、イオンの方向が揃って、高密度かつ均一性のよいプラズマが生成される。側方電極の代わりに、容量要素等を含む共振回路を設けてもよい。
Claim (excerpt):
高周波電源と接続される少なくとも1つの電圧印加用電極及びアース電極が配設されたチャンバを準備し、チャンバ内を真空状態にまで減圧し、上記高周波電源を介して、上記電圧印加用電極に少なくともプラズマ発生時には電源電圧よりも高い電圧を印加することを特徴とするプラズマ発生方法。
IPC (8):
H05H 1/46
, C23C 14/40
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
, H01L 21/31
FI (2):
H01L 21/302 C
, H01L 21/31 B
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