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J-GLOBAL ID：200903036715561662
半導体装置の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991159044
Publication number (International publication number)：1993013376
Application date： Jun. 28, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：
【要約】【目的】 酸化膜と基板に対するエッチング選択比が高く、基板に結晶欠陥を起こすことなく酸化膜をエッチングして半導体装置を製造することのできる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 LSIの製造工程におけるドライエッチングを行なう際に、式:Cn F2n+2又はCn F2n(n=2〜6)のフッ化炭素ガスまたはフッ化炭素ガスとπ結合を有するCOもしくはNOガスを使用する。
Claim (excerpt)：
LSIの製造工程におけるドライエッチングを行なう際に、式:Cn F2n+2又はCn F2n(n=2〜6)のフッ化炭素ガスとπ結合を有するCOもしくはNOガスを使用することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Patent cited by the Patent：
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