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J-GLOBAL ID：200903036723698626

結晶学的配向シリコン成長用テンプレート層としてのビスマス・チタン酸塩

Inventor： チャールズ エス. グエンザー
Applicant, Patent owner： チャールズ エス. グエンザー
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995079076
Publication number (International publication number)：1996051106
Application date： Apr. 04, 1995
Publication date： Feb. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】 異なる組成の非結晶またはガラス質基板上に、結晶学的に配向されたシリコンを形成する代替技術を提供すること。【構成】 例えばSiO2 のガラス質層(10)の上に、結晶学的に配向されたシリコン層(14)を形成する方法。好ましくはBi4 Ti3 O12である、積層されたペロブスカイトは、膜に対し垂直な長いc- 軸についての成長に好都合な条件下で、ガラス質層(10)上に堆積される。それから、シリコンは、通常は単結晶成長に好都合な条件下で、テンプレート層(12)上に成長される。これによって、下にあるテンプレート層(12)に整列して結晶学的に成長する。

Claim (excerpt)：

ガラス質表面を有する基板と;テンプレート層であって、上記層の主要面に対し実質的に垂直な長軸について結晶学的に配向される前記ガラス質表面上に堆積された積層ペロブスカイトを備える前記テンプレート層と;前記テンプレート層上に堆積され、実質的かつ結晶学的に整列されたシリコン層とを備える、シリコン・ヘテロ構造。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/04