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J-GLOBAL ID：200903036728714174
固体撮像装置の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松田 正道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991156546
Publication number (International publication number)：1993006992
Application date： Jun. 27, 1991
Publication date： Jan. 14, 1993
Summary：
【要約】【目的】ビデオカメラ等に使用するため、暗電流バラツキや無残像化に必要なゲート電圧のバラツキを抑制する。【構成】n基板101上の高抵抗のpウェル102表面に電荷転送チャネルとなる高抵抗のn領域103を形成する工程と、pウェル102表面にp領域104とチャネルストップとなるp領域105を形成する工程と、半導体表面に絶縁膜106を形成した後、読みだしゲート電極を兼ねる電荷転送電極107を形成する工程と、レジストを形成後、ポリシリコンゲート107の一部をエッチングし、レジスト110と読みだしゲート107をマスクとしてゲートエッジ111にセルフアラインにリンを200KeV以上のエネルギーでイオン注入し光電変換領域となる高抵抗のn領域108を形成する工程と、読みだしゲートのゲートエッジ111にセルフアラインにボロンをイオン注入しp領域109を形成する工程を備える。
Claim (excerpt)：
半導体基板に電荷転送チャネルを形成する工程と、前記半導体基板表面に絶縁膜を隔てて読みだしゲート電極を兼ねる電荷転送電極を形成する工程と、前記半導体基板及び前記電荷転送電極上にレジストを形成する工程と、光電変換部を形成する領域の前記レジストを除去する工程と、前記レジストをマスクとして、前記読みだしゲート電極の一部を除去する工程と、前記レジストと前記読みだしゲート電極をマスクにリンを200keV以上の加速エネルギーでイオン注入する工程と、前記読みだしゲート電極をマスクにボロンをイオン注入する工程とを備えた事を特徴とする固体撮像装置の製造方法。
Patent cited by the Patent：
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