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J-GLOBAL ID：200903036736452537

複合発光素子の製造方法

Inventor： 井上 登美男 ,  日高 瑞枝 ,  北園 俊郎
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999344507
Publication number (International publication number)：2001168383
Application date： Dec. 03, 1999
Publication date： Jun. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】 半導体発光素子を静電気保護素子等のサブマウント素子のウエハー上に搭載接合する工程時間を短縮するとともにハンドリングも向上し得る製造方法の提供。【解決手段】 p側及びn側の電極を含む静電気保護用のSiダイオード1のパターンを行列状に形成したSiダイオードウエハー4の上に、半導体発光素子2をフリップチップ型として導通搭載する製造方法であって、Siダイオード1の複数の互いに隣接するパターンに対応する複数の半導体発光素子2を形成したウエハー片3をSiダイオードウエハー4の行列に合わせて搭載し、ウエハー片3の複数の半導体発光素子2のそれぞれが分割されるようにウエハー片3及びSiダイオードウエハー4をダイシングする。

Claim (excerpt)：

透明基板の上に半導体薄膜層を積層するとともにこの積層膜の表面側にp側及びn側の電極をそれぞれ形成した半導体発光素子が、2つ以上の電極を持つサブマウント素子上に搭載接合された複合発光素子の製造方法であって、ウエハーに前記サブマウント素子を行列状に形成し、該ウエハーの上に複数の半導体発光素子を行列状に形成したウエハー片を電極パターンの行列に合わせて搭載接合した後、前記ウエハー片の複数の半導体発光素子のそれぞれが分割されるように前記ウエハー片及び前記ウエハーをダイシングする複合発光素子の製造方法。

F-Term (9)：

5F041AA21 ,  5F041AA31 ,  5F041CB33 ,  5F041DA02 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA20 ,  5F041DA83 ,  5F041DB01