Pat

J-GLOBAL ID：200903036740126466

不揮発性半導体記憶装置

Inventor： 熊倉 眞輔
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992033649
Publication number (International publication number)：1993234384
Application date： Feb. 20, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】トンネル現象を利用した一括消去を行う場合、可変情報を記憶するメモリ・セル・トランジスタにおいてのみ、消去が行われ、消去させたくない情報を記憶するメモリ・セル・トランジスタにおいては、消去が行われないようにし、使い勝手の向上を図る。【構成】可変情報用に使用するメモリ・セル・トランジスタ400、401・・・40(m-1)、410、411・・・41(m-1)、・・・4n0、4n1・・・4n(m-1)はフラッシュ・メモリ・セル・トランジスタで構成し、固定情報用に使用するメモリ・セル・トランジスタ40m、41m・・・4nm及びリファレンス用のメモリ・セル・トランジスタ260、261・・・26nはEPROMセル・トランジスタで構成する。

Claim (excerpt)：

フラッシュ・メモリ・セル・トランジスタからなるメモリ・セル・トランジスタと、EPROMセル・トランジスタからなるメモリ・セル・トランジスタとを設けて構成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4)：

G11C 16/02 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3)：

G11C 17/00 307 Z ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371