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J-GLOBAL ID：200903036752301450

窒化ガリウム単結晶基板の製造方法、窒化ガリウム単結晶のエピタキシャル成長自立基板、及びその上に形成したデバイス素子

Inventor： 柴田 真佐知 ,  大島 祐一
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 高石 橘馬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001363269
Publication number (International publication number)：2003165798
Application date： Nov. 28, 2001
Publication date： Jun. 10, 2003
Summary：

【要約】【課題】 クラックや反りのない大型の窒化ガリウム単結晶基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】 窒化ガリウム単結晶を有する多層基板は、基体5に単結晶サファイア基板3を貼り付けてサファイア複合基板10を作製し、サファイア複合基板10のサファイア面上に窒化ガリウム単結晶1をエピタキシャル成長させることにより製造する。窒化ガリウム単結晶を有する多層基板から基体5又は基体5と単結晶サファイア基板3を除去することにより、窒化ガリウム単結晶の自立基板15を得る。窒化ガリウム単結晶の自立基板15上にデバイス素子を形成する。

Claim (excerpt)：

基体に単結晶サファイア基板を貼り付けてサファイア複合基板を作製し、前記サファイア複合基板のサファイア面上に窒化ガリウム単結晶をエピタキシャル成長させることを特徴とする窒化ガリウム単結晶基板の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/38 ,  H01S 5/343 610

FI (2)：

C30B 29/38 D ,  H01S 5/343 610

F-Term (23)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB04 ,  4G077TB05 ,  4G077TK11 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073EA28