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J-GLOBAL ID：200903036762573105

気相成長装置及び結晶成長方法

Inventor： 松岡 隆志
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 光石 俊郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996347202
Publication number (International publication number)：1998182282
Application date： Dec. 26, 1996
Publication date： Jul. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】 高温成長材料を高品質で再現性よく、大面積で成長できる気相成長装置及びその結晶成長方法を課題とする。【解決手段】 原料ガス14を基板13に吹き付ける気相成長装置において、原料ガス14の吹き出し口12aの周囲に原料ガス以外のガス15の吹き出し口を有し、上記原料ガスを基板周囲或いは周囲を通過してガス排気16する。

Claim (excerpt)：

原料ガスを基板に吹き付ける気相成長装置において、原料ガスの吹き出し口の周囲に原料ガス以外のガスの吹き出し口を有し、上記原料ガスを基板周囲或いは周囲を通過して排気する手段を有することを特徴とする気相成長装置。

IPC (5)：

C30B 25/14 ,  C23C 16/44 ,  C30B 29/40 502 ,  C30B 29/40 ,  H01L 21/205

FI (5)：

C30B 25/14 ,  C23C 16/44 D ,  C30B 29/40 502 D ,  C30B 29/40 502 F ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-037374
  
• 特開平1-128518
  
• 特開平4-228496