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J-GLOBAL ID：200903036767715161

半導体装置の実装構造

Inventor： 星 淳一 ,  小宮山 克美
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 近島 一夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993351583
Publication number (International publication number)：1995202148
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】能動素子等の電気回路を安価に高集積し、かつ高速特性に富む半導体装置を得る。【構成】能動素子等の電気回路を作り込むと共に超薄型に形成した半導体装置1を、支持体20,...に沿って2回以上折り曲げて実装する。これにより、半導体装置1はコンパクトに実装され、また電気回路の高集積化が可能となる。また、半導体装置1を導電膜によって被覆することにより(不図示)、該導電膜がグランドプレーンとして機能し、半導体装置1は数百MHzの周波数にも対応可能となると共に微細化が達成できる。

Claim (excerpt)：

能動素子を作り込んだ半導体層を備えた半導体装置を実装する半導体装置の実装構造において、前記半導体装置を薄く形成して2回以上折り曲げて実装する、ことを特徴とする半導体装置の実装構造。

IPC (5)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/98 ,  H01L 23/28 ,  H01L 27/00 301