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J-GLOBAL ID：200903036781689718

電子放出源の製造方法

Inventor： 近藤 慶和
Applicant, Patent owner： コニカミノルタホールディングス株式会社
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2004017977
Publication number (International publication number)：WO2005055266
Application date： Nov. 26, 2004
Publication date： Jun. 16, 2005
Summary：

ナノ構造炭素材料を容易にかつ様々な基材上に形成し得る製造方法を提供する。前記製造方法として、導電層が形成された基材上にリソグラフィによりナノ構造炭素材料をパターニングするパターニング工程を有する電子放出源の製造方法であって、前記パターニング工程は前記導電層上にナノ構造炭素材料を形成するナノ構造炭素材料形成工程を含み、このナノ構造炭素材料形成工程が、大気圧または大気圧近傍の圧力下で高周波電圧を対向する電極間に印加して放電プラズマを発生させる大気圧プラズマ法により行われることを特徴とする電子放出源の製造方法である。

Claim (excerpt)：

電子放出源の製造方法であって、少なくとも基材上に導電層を形成する導電層形成工程、前記導電層上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程、前記絶縁層上にゲート層を形成するゲート層形成工程、前記導電層上にナノ構造炭素材料層を形成するナノ構造炭素材料層形成工程を含み、前記導電層形成工程、前記ナノ構造炭素材料層形成工程、前記絶縁層形成工程および前記ゲート層形成工程のうち少なくとも一つの工程が、大気圧プラズマ法により行われることを特徴とする電子放出源の製造方法。

IPC (3)：

H01J 9/02 ,  H01J 1/304 ,  H01J 31/12

FI (3)：

H01J9/02 B ,  H01J1/30 F ,  H01J31/12 C

F-Term (27)：

5C036EE14 ,  5C036EE19 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF09 ,  5C036EG12 ,  5C127AA06 ,  5C127AA20 ,  5C127BA09 ,  5C127BA12 ,  5C127BA13 ,  5C127BA15 ,  5C127BB07 ,  5C127BB08 ,  5C127CC03 ,  5C127DD09 ,  5C127EE15 ,  5C127EE20 ,  5C135AA09 ,  5C135AA12 ,  5C135AA13 ,  5C135AA15 ,  5C135AB07 ,  5C135AB09 ,  5C135AC01 ,  5C135HH15 ,  5C135HH20