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J-GLOBAL ID：200903036791355486

半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法

Inventor： 佐合 宏仁 ,  島井 太 ,  宮本 英典 ,  小針 英也
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (1)： 下田 容一郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993283093
Publication number (International publication number)：1995142439
Application date： Nov. 12, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】 オリエンテーションフラット部を含めて半導体ウェーハの全周を効率よく洗浄する。【構成】 洗浄ヘッド4は上下の舌状片5,6間に半導体ウェーハWの周縁部が入り込むとともに排気装置につながる溝部7を形成し、舌状片5,6には洗浄液供給チューブ8,9をコネクタ8a,9aにて連結し、これらチューブ8,9から供給される洗浄液をノズル孔10,11を介して半導体ウェーハWの周縁部に噴出するようにしている。

Claim (excerpt)：

外周の一部を切り落として位置決め用のオリエンテーションフラット部を形成した半導体ウェーハの洗浄装置において、この洗浄装置は半導体ウェーハを吸着して回転せしめるチャックと、このチャックを収納する洗浄カップと、半導体ウェーハの周縁部を洗浄する洗浄ヘッドと、オリエンテーションフラット部を検出するセンサを備えてなり、洗浄ヘッドはチャックに向かって進退可能でオリエンテーションフラット部に沿って移動可能とされ、更に洗浄ヘッドには半導体ウェーハの周縁部が入り込む溝部が形成され、この溝部は排気装置につながっていることを特徴とする半導体ウェーハの洗浄装置。

IPC (3)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  B08B 3/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 処理装置及び処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-219464   Applicant：東京エレクトロン株式会社