Pat
J-GLOBAL ID:200903036804903763
プレポリマー、プレポリマー組成物、空孔構造を有する高分子量重合体及び絶縁膜
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
後藤 幸久
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003376049
Publication number (International publication number):2005139271
Application date: Nov. 05, 2003
Publication date: Jun. 02, 2005
Summary:
【課題】 半導体の製造に有用な高い耐熱性及び低い比誘電率を有する高分子量重合体を得る。【解決手段】 それぞれの化合物の分子内に2以上の官能基又は官能基群を有しており、一方の化合物の官能基又は官能基群と他方の化合物の官能基又は官能基群との結合により重合して空孔構造を有する高分子量重合体を形成することが可能な2つの化合物A及びBの反応により得られるプレポリマー。プレポリマーの重量平均分子量は、200〜100000程度である。好ましい態様では、化合物Aの有する官能基又は官能基群がカルボキシル基又はアミノ基であり、化合物Bの有する官能基又は官能基群が2つのアミノ基、アミノ基とヒドロキシル基、アミノ基とメルカプト基、又は2つのカルボキシル基である。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
それぞれの化合物の分子内に2以上の官能基又は官能基群を有しており、一方の化合物の官能基又は官能基群と他方の化合物の官能基又は官能基群との結合により重合して空孔構造を有する高分子量重合体を形成することが可能な2つの化合物A及びBの反応により得られるプレポリマー。
IPC (3):
C08G73/06
, H01L21/312
, H01L21/768
FI (3):
C08G73/06
, H01L21/312 A
, H01L21/90 S
F-Term (56):
4J043PA01
, 4J043PA15
, 4J043PA19
, 4J043QB14
, 4J043QB15
, 4J043QB23
, 4J043QB31
, 4J043QB32
, 4J043QB33
, 4J043QB34
, 4J043QB35
, 4J043RA05
, 4J043RA06
, 4J043RA07
, 4J043RA34
, 4J043RA42
, 4J043RA52
, 4J043RA57
, 4J043SA05
, 4J043SA06
, 4J043SA81
, 4J043SA83
, 4J043SB01
, 4J043SB02
, 4J043TA25
, 4J043TA26
, 4J043TA27
, 4J043TB01
, 4J043UA052
, 4J043UA131
, 4J043VA011
, 4J043XA11
, 4J043YA05
, 4J043YA06
, 4J043ZA06
, 4J043ZA12
, 4J043ZA31
, 4J043ZA43
, 4J043ZA46
, 4J043ZB11
, 4J043ZB47
, 5F033RR21
, 5F033RR29
, 5F033SS22
, 5F033WW00
, 5F033WW01
, 5F033XX17
, 5F033XX24
, 5F058AA10
, 5F058AC02
, 5F058AC10
, 5F058AD04
, 5F058AD09
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AH02
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
-
層間絶縁膜、その形成方法及び配線の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-070745
Applicant:松下電器産業株式会社
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特開昭62-183881号公報
Cited by examiner (4)