半導体装置およびその作製方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998018050
Publication number (International publication number)：1999202368
Application date： Jan. 14, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】高精細かつ高コントラストなAMLCDを実現する。【解決手段】第1の導電層101上に絶縁層102を設け、当該絶縁層102に対して開孔部103を形成する。次に、酸化物導電層104を形成した後、エッチバック法等の手段により酸化物導電層104を後退させる。そして開孔部103が酸化物導電層104で充填された状態を実現する。こうすることで平坦性を確保したまま第1の導電層101と画素電極105とを電気的に接続することができる。

Claim (excerpt)：

異なる層に形成された二層の導電層と、当該二層の導電層に挟まれた絶縁層とを有する半導体装置であって、前記二層の導電層は前記絶縁層に設けられた開孔部を埋め込む様に形成された酸化物導電層を介して互いに電気的に接続された構造を有していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

G02F 1/136 500 , H01L 21/768 , H01L 29/786

FI (3)：

G02F 1/136 500 , H01L 21/90 A , H01L 29/78 612 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

薄膜トランジスタ及びそれを用いた液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-081485 Applicant：キヤノン株式会社
絶縁層を介した上部電極と下部電極の導通方法及びその構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-137243 Applicant：アルプス電気株式会社
液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-235637 Applicant：株式会社東芝

Show all

Return to Previous Page