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J-GLOBAL ID：200903036848278661

半導体封止用低圧トランスファ成形材料

Inventor： 山縣 誠 ,  松垣 一徳 ,  小野 裕之 ,  中山 紀子
Applicant, Patent owner： 新日鐵化学株式会社
Agent (1)： 佐野 英一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993016739
Publication number (International publication number)：1994200121
Application date： Jan. 06, 1993
Publication date： Jul. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】 低吸湿性で、はんだ耐熱性の良好な、成形性に優れた半導体封止用低圧トランスファ成形材料を提供することにある。【構成】 (a)エポキシ、(b)硬化剤、(c)硬化促進剤、(d)充填剤を必須成分とし、(a)エポキシの全部または一部が、下記式(1)【化1】で示されるジフェニルエーテル骨格を含有するエポキシ、及び分子中に少なくとも1個のナフタレン骨格と少なくとも1個のナフタレン骨格に結合した水酸基を有するナフトール類のグリシジルエーテルであるエポキシの混合物である半導体封止用低圧トランスファ成形材料

Claim (excerpt)：

(a)エポキシ、(b)硬化剤、(c)硬化促進剤、(d)充填剤を必須成分とし、(a)エポキシの全部または一部が、下記式(1)【化1】で示されるジフェニルエーテル骨格を含有するエポキシ、及び分子中に少なくとも1個のナフタレン骨格と少なくとも1個のナフタレン骨格に結合した水酸基を有するナフトール類のグリシジルエーテルであるエポキシの混合物であることを特徴とする半導体封止用低圧トランスファ成形材料。

IPC (5)：

C08L 63/00 NHQ ,  C08G 59/18 NKX ,  C08K 3/36 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31