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J-GLOBAL ID：200903036850774242

シンチレータの製造方法

Inventor： 桑原 由則 ,  流王 俊彦
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 小宮 良雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991170155
Publication number (International publication number)：1993019060
Application date： Jul. 10, 1991
Publication date： Jan. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 BGO結晶の切込み溝に反射材を高密度に充填し、小型でエネルギ分解能が高く高感度なシンチレータを製造する。【構成】 Bi4Ge3O12 結晶2のシンチレーション光の出射面2aから、前記出射面2aに直交し且つ互いに直交する格子状の切込み溝4および5を形成した後、反射材粉末6を含有する樹脂溶液を切込み溝4および5に1.5 ×1010Pa以下の減圧下で充填し、減圧により脱溶媒して反射層7を形成する

Claim (excerpt)：

Bi4Ge3O12 結晶のシンチレーション光の出射面から、前記出射面に直交し且つ互いに直交する格子状の切込み溝を形成した後、反射材粉末を含有する樹脂溶液を前記切込み溝に1.5 ×1010Pa以下の減圧下で充填し、減圧により脱溶媒して反射層を形成する工程を含むことを特徴とするシンチレータの製造方法。

IPC (5)：

G01T 1/20 ,  A61B 6/03 320 ,  C01G 29/00 ,  C08L 33/02 LHU ,  G01T 1/202