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J-GLOBAL ID：200903036871231443

高純度炭化珪素体の製造方法

Inventor： 大橋 俊安 ,  久保田 芳宏 ,  原田 今朝治 ,  山口 和弘
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 小島 隆司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991311347
Publication number (International publication number)：1993124864
Application date： Oct. 31, 1991
Publication date： May. 21, 1993
Summary：

【要約】【構成】 熱分解窒化硼素基材の表面に化学気相蒸着法で炭化珪素膜を形成した後、上記基材を除去することを特徴とする高純度炭化珪素体の製造方法。【効果】 化学気相蒸着法による高純度の炭化珪素のみからなる炭化珪素体を短時間で効率よくしかも経済的に製造することができる。

Claim (excerpt)：

熱分解窒化硼素基材の表面に化学気相蒸着法で炭化珪素膜を形成した後、上記基材を除去することを特徴とする高純度炭化珪素体の製造方法。

IPC (3)：

C04B 35/56 101 ,  C01B 31/36 ,  C04B 41/87