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J-GLOBAL ID：200903036875215680

半導体レーザ

Inventor： 木戸口 勲 ,  足立 秀人 ,  熊渕 康仁 ,  高森 晃 ,  萬濃 正也 ,  福久 敏哉
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996092349
Publication number (International publication number)：1997283840
Application date： Apr. 15, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 安定な自励発振特性を有する半導体レーザを提供する。【解決手段】 n型GaAs基板701上に、n型GaAsバッファ層702、AlGaInPのn型クラッド層703、AlGaInPおよびGaInPからなる多重量子井戸構造の活性層704、p型のAlGaInPからなる第1のp型クラッド層705a、光ガイド層707、第2のp型クラッド層705b、p型のGaInPからなる可飽和吸収層706、AlGaInPからなる第3のp型クラッド層707が順次形成されている。この構造には、可飽和吸収層の体積を小さくすると同時に光ガイド層を設けている。可飽和吸収層の体積を小さくするほど、キャリア密度を容易に上げることができ、飽和状態になりやすく、可飽和吸収の効果が顕著となる。これにより、安定した自励発振特性が得られ、その結果、相対雑音強度の低い半導体レーザを実現できる。

Claim (excerpt)：

量子井戸層を有する活性層と、該活性層を挟むクラッド構造とを備えた半導体レーザであって、該クラッド構造は、可飽和吸収層と、該可飽和吸収層を含んでおり、該可飽和吸収層は秩序構造を有し、該量子井戸層は無秩序化しており、該可飽和吸収層のエネルギ-ギャップが、該活性層の量子井戸層の基底準位間のエネルギ-ギャップよりも、30から200meVだけ小さい半導体レーザ。