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J-GLOBAL ID：200903036888204237

非晶質半導体及びその製造方法並びに光起電力装置

Inventor： 丸山 英治
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 目次 誠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997066127
Publication number (International publication number)：1997315811
Application date： Mar. 19, 1997
Publication date： Dec. 09, 1997
Summary：

【要約】【課題】 非晶質半導体材料としての特性の光劣化を低減することができる非晶質半導体及びその製造方法を得る。【解決手段】 希ガス含有量が0.01〜10原子%であり、水素含有量が15〜55原子%であり、該非晶質半導体の主構成元素XとX-H2 なる結合をした水素原子数と、X-Hなる結合をした水素原子数との比XH2 /XHが0.5以下である非晶質半導体であり、このような非晶質半導体薄膜は、RFプラズマCVD法などのグロー放電によるプラズマCVD法による厚み150Å以下の非晶質半導体薄膜の堆積と、希ガスによるプラズマ処理とを繰り返すことにより形成することができる。

Claim (excerpt)：

希ガス含有量が0.01〜10原子%であり、かつ水素含有量が15〜55原子%である非晶質半導体であって、該非晶質半導体の主構成元素XとX-H2 なる結合をした水素原子数と、X-Hなる結合をした水素原子数との比XH2 /XHが0.5以下であることを特徴とする非晶質半導体。

IPC (9)：

C01B 33/02 ,  C01B 31/02 101 ,  C01B 31/36 ,  C01B 33/04 ,  C01B 33/06 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04

FI (9)：

C01B 33/02 Z ,  C01B 31/02 101 Z ,  C01B 31/36 A ,  C01B 33/04 ,  C01B 33/06 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 V