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J-GLOBAL ID:200903036888415181

基板処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003151249
Publication number (International publication number):2004356317
Application date: May. 28, 2003
Publication date: Dec. 16, 2004
Summary:
【課題】処理液と気体とが効率的に混合されて処理液の液滴が生成される基板処理装置を提供する。【解決手段】この基板処理装置は、二流体ノズル2を備えている。二流体ノズル2には、液体吐出口とそのまわりに環状に設けられた気体吐出口36が形成されている。二流体ノズル2に、処理液である脱イオン水と窒素ガスとを導入すると、脱イオン水と窒素ガスとは、それぞれ液体吐出口および気体吐出口36から吐出されるようになっており、これらの脱イオン水と窒素ガスとが混合されて、脱イオン水の液滴を生成される。二流体ノズル2は、気体吐出口36から吐出された気体が、処理液流を取り囲む渦巻き気流を形成するように構成されている。【選択図】 図4
Claim (excerpt):
処理対象の基板を保持するための基板保持機構と、 処理液が導入される処理液導入口と、この処理液導入口から導入される処理液と混合すべき気体が導入される気体導入口と、上記処理液導入口から導入された処理液を上記基板保持機構に保持された基板の表面に向かう所定の処理液吐出方向に沿って吐出する処理液吐出口と、この処理液吐出口に近接して配置され上記気体導入口から導入された気体を上記基板保持機構に保持された基板の表面に向けて吐出する気体吐出口とが形成されたケーシングを有し、このケーシング外の上記処理液吐出口の近傍で当該処理液吐出口から吐出される処理液と上記気体吐出口から吐出される気体とを混合させることによって上記処理液の液滴を生成し、この処理液の液滴を上記基板保持機構に保持された基板の表面に噴射する二流体ノズルとを備え、 上記二流体ノズルは、上記ケーシング内における上記気体導入口から気体吐出口に至る気体流路中に介装され上記処理液吐出口から上記処理液吐出方向に沿って吐出される処理液流を取り囲む渦巻き気流を形成するための渦巻き気流形成手段を有していることを特徴とする基板処理装置。
IPC (3):
H01L21/304 ,  B05B1/34 ,  B05B7/06
FI (3):
H01L21/304 643C ,  B05B1/34 101 ,  B05B7/06
F-Term (16):
4F033AA04 ,  4F033AA14 ,  4F033BA01 ,  4F033BA03 ,  4F033BA04 ,  4F033DA01 ,  4F033EA01 ,  4F033KA02 ,  4F033NA01 ,  4F033QA09 ,  4F033QB02Y ,  4F033QB03X ,  4F033QB13Y ,  4F033QB15X ,  4F033QD09 ,  4F033QD21
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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