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J-GLOBAL ID：200903036895175374
基板中に多段構造を作製する方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
頓宮 孝一 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993099653
Publication number (International publication number)：1994037065
Application date： Apr. 26, 1993
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：
【要約】【目的】 基板中に2段あるいは3段構造を作製するための方法を提供すること。【構成】 2重あるいは多重レジスト層を用い、異方性エッチング処理と組み合わせることにより基板中に2段あるいは3段構造が作製される。【効果】 本発明により、比較的低コストでより高い集積密度が得られ、例えば薄膜パッケージング製品に関しては、非常に有益である。
Claim (excerpt)：
a) 基板(1)を作製する工程と、b) 第1のフォトレジスト層(2)を基板(1)上に積層する工程と、c) 第1のマスク(3)を通して露光させ、現像し、そして第1のフォトレジスト層(2)を後加熱することによって該第1のフォトレジスト層(2)内に第1の穴(4)を形成する工程と、d) 該第1の穴(4)の領域内の該基板(1)上及び該第1のフォトレジスト(2)上に第2のフォトレジスト層(5)を積層する工程と、e) 第2のマスク(6)を通して露光させ、現像し、後加熱することによって該第2のフォトレジスト層(5)内に、該第1の穴(4)の上を覆いかつそれよりも大きい第2の穴(7)を形成する工程と、f) 該第1の穴(4)を該基板(1)に転写する工程と、g) 該第1のフォトレジスト層(2)を、該第2のフォトレジスト層(5)に覆われていない部分だけ除去し、かつ同時に一番上の該第2のフォトレジスト層(5)を除去する工程と、h) 該第2の穴(7)を該基板(1)に転写し、かつ同時に該基板(1)中の該第1の穴(4)を深くする工程と、i) 該第1のフォトレジスト層(2)を除去する工程とからなる、該基板中に多段構造を作製するための方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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