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J-GLOBAL ID：200903036896131745

酸化物超伝導薄膜およびその製造方法

Inventor： 吉田 隆 ,  松本 要 ,  向田 昌志 ,  一瀬 中 ,  堀井 滋 ,  高井 吉明
Applicant, Patent owner： 独立行政法人科学技術振興機構 ,  財団法人電力中央研究所
Agent (2)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003351165
Publication number (International publication number)：2005116408
Application date： Oct. 09, 2003
Publication date： Apr. 28, 2005
Summary：

【課題】 膜厚を厚くしても臨界電流密度特性が劣化せず、磁場中における単位幅当たりの臨界電流値の大きい酸化物系超伝導薄膜の提供。【解決手段】 超伝導材料のREとBaの置換量、成膜時の基板温度、成膜時の酸素分圧を制御し、該超伝導材料を基板上に直接成長させる超伝導体層1を基板温度の高い条件で作製し、さらに該超伝導体層1上に成長させる超伝導体層2を基板温度の低い条件で作製することにより、二層以上の超伝導体層中の薄膜成長時に膜中に生成する積層欠陥の量を制御することにより、超伝導積層体中に微細なピンニング点を導入した超伝導薄膜。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板と、該基板上に形成され、複数の超伝導体層から構成される超伝導積層体を含み、該複数の超伝導体層はそれぞれ異なる欠陥密度を有することを特徴とする超伝導薄膜。

IPC (7)：

H01B12/06 ,  C01G1/00 ,  C23C14/06 ,  C23C16/40 ,  C30B29/22 ,  H01B13/00 ,  H01L39/24

FI (7)：

H01B12/06 ,  C01G1/00 S ,  C23C14/06 S ,  C23C16/40 ,  C30B29/22 501M ,  H01B13/00 565D ,  H01L39/24 B

F-Term (49)：

4G047JA03 ,  4G047JA04 ,  4G047JC02 ,  4G047KE05 ,  4G047KE07 ,  4G047KG05 ,  4G047LB01 ,  4G047LB03 ,  4G077AA03 ,  4G077BC53 ,  4G077DA03 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077HA08 ,  4G077SA04 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4G077TK01 ,  4K029AA04 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BC04 ,  4K029CA02 ,  4K029DB05 ,  4K029DB08 ,  4K029DB20 ,  4K030AA11 ,  4K030BA42 ,  4K030BB13 ,  4K030CA05 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA03 ,  4M113AD35 ,  4M113AD36 ,  4M113AD37 ,  4M113AD39 ,  4M113BA04 ,  4M113BA18 ,  4M113BA29 ,  4M113CA34 ,  5G321AA01 ,  5G321BA06 ,  5G321CA05 ,  5G321CA22 ,  5G321CA24 ,  5G321CA99

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 低温成膜プロセスによるSm1+xBa2-xCu3O6+δ薄膜の高特性化
• c軸配向シード層上に作製したSm1+xBa2-xCu3O6+δ薄膜の配向性及び超伝導特性