シリコン単結晶中の酸素濃度制御方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：舘野公一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995287862
Publication number (International publication number)：1997110578
Application date： Oct. 09, 1995
Publication date： Apr. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】通常のCZ法またはマルチプルCZ法により引き上げた、引上げ操業時間が異なる複数本のシリコン単結晶について、同一成長位置の酸素濃度を、引上げ操業時間の長短に関わらず所望範囲内に制御する。【解決手段】石英製ルツボを備えた引上げ装置を用いて複数本のシリコン単結晶を通常のCZ法またはマルチプルCZ法により引き上げるに際し、(1)同一装置・同一操作条件下で引上げを行った場合の引上げ操業時間と、シリコン単結晶における同一成長位置の酸素濃度との関係を、ルツボの回転数をパラメータとして求め、(2)あらかじめ設定した、シリコン単結晶における同一成長位置の所望の酸素濃度範囲と、前記引上げ操業時間と酸素濃度との関係からルツボ回転数を設定するとともに、該回転数以外の条件は、前記関係を求めたときと同一装置・同一操作条件として引上げを行う。

Claim (excerpt)：

石英製ルツボを備えた引上げ装置を用いて、シリコン単結晶をCZ法により引き上げる方法において、(1)同一装置・同一操作条件下で引上げを行った場合の引上げ操業時間と、シリコン単結晶における同一成長位置の酸素濃度との関係を、前記ルツボの回転数をパラメータとして求め、(2)あらかじめ設定した、シリコン単結晶における同一成長位置の所望の酸素濃度範囲と、前記引上げ操業時間と酸素濃度との関係から前記ルツボの回転数を設定するとともに、該回転数以外の条件は、前記関係を求めたときと同一装置・同一操作条件として引上げを行うことにより、シリコン単結晶における同一成長位置の酸素濃度が引上げ操業時間の経過に伴って低下するのを抑制することを特徴とするシリコン単結晶中の酸素濃度制御方法。

IPC (5)：

C30B 15/00 , C30B 15/02 , C30B 15/20 , C30B 29/06 502 , H01L 21/208

FI (5)：

C30B 15/00 Z , C30B 15/02 , C30B 15/20 , C30B 29/06 502 H , H01L 21/208 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

単結晶の酸素濃度予測方法及び単結晶の引上方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-347187 Applicant：川崎製鉄株式会社
単結晶引き上げ方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-074116 Applicant：住友金属工業株式会社, 住友シチックス株式会社, 九州電子金属株式会社
特公昭60-006911

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