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J-GLOBAL ID：200903036903625490

非線形光学素子および非線形光学用構造体

Inventor： 石原 一 ,  野村 良徳 ,  張 紀久夫
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991231809
Publication number (International publication number)：1993072584
Application date： Sep. 11, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高速大容量情報処理を目的とする光情報処理装置の実現に必須とされる実用的な強度の制御光で信号光を制御する光-光制御スイッチング素子や光メモリ素子など光エレクトロニクス素子を実現するための指導原理を提供する。【構成】 光学活性層の試料サイズを半導体などの励起子エネルギー共鳴域においておこる内部電場強度のサイズ共鳴増大効果の生じる大きさとすることによって、きわめて大きな非線形光学効果をもつ非線形光学効果構造を得る。【効果】 内部電場強度の試料サイズ依存性と非線形光学応答との関係によって生じる非線形光学効果を利用することで、これを利用しない場合に比べて非線形光学効果の大きさが2桁ないし3桁の増大するため、小さな入力光の強度でも実用上十分な非線形光学効果を得られる。

Claim (excerpt)：

複数の誘電体あるいは半導体からなり、前記誘電体あるいは半導体のうち、非線形光学効果を生じる誘電体試料あるいは半導体試料の形状と大きさとを適当に選ぶことによって、上記誘電体試料あるいは半導体試料の内部で励起子共鳴域のエネルギーをもつ電場強度が上記誘電体試料あるいは半導体試料のサイズに共鳴して増大するようにし非線形光学効果を増大させるようにしたことを特徴とする非線形光学素子。