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J-GLOBAL ID：200903036906176750
半導体装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992105834
Publication number (International publication number)：1993283405
Application date： Mar. 31, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：
【要約】【目的】分離幅が広い範囲にわたっていても容易に形成できる素子分離領域を有する半導体装置を得ること。【構成】シリコン基板1上にLOCOS法で形成され、分離幅が最小設計寸法にリソグラフィの合せ精度の4倍を加えた長さより大きい素子分離領域16と、シリコン基板1に溝埋め込み法で形成され、分離幅が最小設寸法の素子分離領域17及び分離幅が最小設計寸法にリソグラフィの合せ精度の4倍を加えた長さ以下の素子分離領域18と、素子分離領域16,17,18で区分された素子形成領域に形成されたMOSトランジスタとを有する。
Claim (excerpt)：
分離幅が所定値以下の第1の素子分離領域と、分離幅が所定値より大きく、前記第1の素子分離領域と異なる構造の第2の素子分離領域と、前記第1及び第2の素子分離領域で区分された素子形成領域に形成された半導体素子とを具備してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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