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J-GLOBAL ID：200903036909678110

ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成法

Inventor： 田中 祥子 ,  熊田 輝彦 ,  堀辺 英夫 ,  久保田 繁 ,  肥塚 裕至
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993028880
Publication number (International publication number)：1994242607
Application date： Feb. 18, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：

【要約】【構成】 (a)アルカリ可溶性を与える官能基の5〜50モル%が、酸により分解される保護基で置換された高分子化合物40〜90重量%、(b)酸により分解してアルカリ可溶性となる化合物(式Iなど)10〜55重量%、【化1】(c)放射線照射で酸を発生する化合物0.03〜15重量%からなるレジスト組成物、および該レジスト組成物を用いたパターン形成法。【効果】 露光部と非露光部との現像液への溶解速度比が大きく、高感度、高解像力を達成した。

Claim (excerpt)：

アルカリ可溶性を与える官能基の5〜50モル%が、酸により分解される保護基で置換された高分子化合物(a)のすくなくとも1種と、一般式(I):【化1】(式中、R1、R2は水素原子、メチル基、メトキシ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、シアノ基またはアリール基を示し、R3はメチル基、エチル基、イソプロピル基、tert-ブチル基もしくはtert-アミル基を示し、Xはオキシカルボキシル基、オキシカルボニル基、オキシメチルカルボキシル基もしくはスルホネート基のいずれかを示し、Arはフェニレン基、3,5-ジクロロフェニレン基、3,5-ジブロモフェニレン基、ナフチレン基、アンチレン基もしくはフェナントレン基を示す)または一般式(II):【化2】(式中、R1、R3、XおよびArは前記のとおりであり、mは1〜3の整数を示す)で表される化合物のうちの少なくとも1種の、酸により分解してアルカリ可溶性となる化合物(b)のすくなくとも1種と、放射線を照射することで酸を発生する化合物(c)のすくなくとも1種とからなるポジ型レジスト組成物。

IPC (6)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 301 R ,  H01L 21/30 361 L