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J-GLOBAL ID：200903036923013768

半導体薄膜の形成方法

Inventor： 鮫島 俊之 ,  原 昌輝 ,  佐野 直樹 ,  クリストフ・シラ ,  碓井 節夫
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991246798
Publication number (International publication number)：1993062899
Application date： Aug. 30, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 良質のアモルファス半導体薄膜を300°C以下の低温で形成することを可能とする。【構成】 ガラス基板1上にゲート電極2、ゲート絶縁膜3、ソース領域6及びドレイン領域7を形成した後、プラズマCVD法により300°C以下の低温で全面にノンドープのa-Si:H薄膜8を形成する。次に、このa-Si:H薄膜8にパルスレーザ光Lを照射して溶融し、その後固化することによって、ソース領域6とドレイン領域7との間の部分におけるゲート絶縁膜3上にのみa-Si:H薄膜9を形成する。このa-Si:H薄膜9がチャネル領域として用いられる。この後、水素プラズマ処理によりこのa-Si:H薄膜9を水素化処理する。

Claim (excerpt)：

IV族元素を主成分とする第1の半導体薄膜にエネルギービームを照射して溶融し、その後固化することによりアモルファスの第2の半導体薄膜を形成する工程と、上記第2の半導体薄膜を水素化処理する工程とを有する半導体薄膜の形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/322 ,  H01L 29/784 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01L 29/78 311 F ,  H01L 31/04 V