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J-GLOBAL ID:200903036936878504

多接合型光電変換素子の特性測定方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004334243
Publication number (International publication number):2006147755
Application date: Nov. 18, 2004
Publication date: Jun. 08, 2006
Summary:
【課題】 製造ラインで製造された構成する要素セルの相対分光感度に変動を有する一群の多接合太陽電池の基準状態での光電変換特性を正確に測定する方法を提供することである。【解決手段】 複数の要素セルを積層した多接合型光電変換素子からなる試験セルの基準状態での出力特性を近似太陽光光源下で測定する多接合光電変換素子試験セルの特性測定方法であって、前記試験セルと同等の構成を有する複数の基準セルの基準状態での特性である基準特性を取得する工程、前記複数の基準セルの基準特性が得られるように前記近似太陽光光源の条件を設定する工程、前記条件設定後の前記近似太陽光光源下で前記試験セルの出力特性を測定する工程を含むことを特徴とする多接合光電変換素子試験セルの特性測定方法とすることである。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
複数の要素セルを積層した多接合型光電変換素子からなる試験セルの基準状態での出力特性を近似太陽光光源下で測定する多接合光電変換素子試験セルの特性測定方法であって、 前記試験セルと同等の構成を有する複数の基準セルの基準状態での特性である基準特性を取得する工程、 前記複数の基準セルの基準特性が得られるように前記近似太陽光光源の条件を設定する工程、 前記条件設定後の前記近似太陽光光源下で前記試験セルの出力特性を測定する工程を含むことを特徴とする多接合光電変換素子試験セルの特性測定方法。
IPC (1):
H01L 31/04
FI (1):
H01L31/04 K
F-Term (3):
5F051AA05 ,  5F051BA14 ,  5F051KA09
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)

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