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J-GLOBAL ID：200903036947696980

光信号変調方法

Inventor： 山田 光志 ,  村井 仁 ,  小川 洋
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993244328
Publication number (International publication number)：1995104223
Application date： Sep. 30, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 レーザの入射光に制限を受けずに高速繰り返し光パルスの周波数を変調できる光信号変調方法を提供する。【構成】 直流バイアス電圧Vb と、半波長電圧VpiとをVb =m×Vpiとした。このようにすることによって従来のモノシリック型半導体レーザよりも超高速繰り返し変調パルスを任意に発生させることができる。従って、従来のように超高速繰り返しパルスを発生させる場合、半導体レーザ素子に高周波変調電圧を印加する必要がなくなるため、電源の負担は軽減される。また、半導体レーザ素子の高周波実装にかかる負担も合わせて軽減されるため、安価な電源で光信号発生装置を作製できる。

Claim (excerpt)：

分岐干渉型又は方向性結合型変調器への光入力信号のパワーをPinとし、該変調器からの光出力信号のパワーをPout とし、該変調器に外部から印加する変調用入力電圧Vを直流バイアス電圧Vb と変調用信号A(t)との重畳電圧とし、更に、前記光入力信号のパワーPinと光出力信号のパワーPout との比で与えられる相対光強度(Pout /Pin)が最小になる電圧を半波長電圧Vpiとし、前記光出力信号を、前記相対光強度を利用して前記変調用入力電圧Vで変調して光出力信号を発生させる光変調方法において、前記直流バイアス電圧Vb と前記半波長電圧Vpiとの関係をVb =m×Vpi (ただし、mは、0又は正或は負の整数とする。)としたことを特徴とする光信号変調方法。