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J-GLOBAL ID：200903036956612110

窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタ構造とその作製法

Inventor： 廣木 正伸 ,  小林 隆
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (2)： 和泉 良彦 ,  小林 茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004206975
Publication number (International publication number)：2006032524
Application date： Jul. 14, 2004
Publication date： Feb. 02, 2006
Summary：

【課題】界面の急峻性等の品質に優れたInGaNチャネルまたは、高いバンドオフセットを持つバリア層を用いた窒化物半導体HFET構造の作製を可能とする、およびHFET構造の作製の再現性を向上する。【解決手段】窒化物半導体薄膜上に、InxGa1-xN(0≦x≦1)層を有し、その上に窒化物半導体中間層を有し、その上にAlN層を有する窒化物半導体素子構造とする。窒化物半導体薄膜上に、InxGa1-xN(0≦x≦1)層を有し、その上にAlN層を有する窒化物半導体素子構造とする。 InxGa1-xN層は組成の異なる多層膜とする。 窒化物半導体中間層は、GaN、もしくはAlN、もしくはAlxGa1-xN、もしくはそれらの多層膜である窒化物半導体素子構造とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

窒化物半導体薄膜上に、InxGa1-xN(0≦x≦1)層を有し、その上に窒化物半導体中間層を有し、その上にAlN層を有することを特徴とする窒化物半導体素子構造。

IPC (3)：

H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338

FI (1)：

H01L29/80 H

F-Term (15)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GL08 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-303739   Applicant：日本電信電話株式会社