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J-GLOBAL ID：200903036958330120

ウェーハの製造方法、及び半導体装置

Inventor： 加園 富男
Applicant, Patent owner： 株式会社トーキン
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997150240
Publication number (International publication number)：1998321533
Application date： May. 22, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】 マウンドと残留歪がなく、表面が鏡面状態のウェハを得ること。【解決手段】 結晶成長層2の上に生じた結晶の異常成長によるマウンドを除去した後、気相成長炉中でのガスエッチングにより、欠陥除去中に発生した残留歪6を除去し、ウェーハを得、それを用いて半導体装置を得る。

Claim (excerpt)：

結晶成長で生じた結晶の異常成長による欠陥を除去した後、気相成長炉中のガスエッチングにより、欠陥除去により生じた(残留)歪を除去することを特徴とするウェーハの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/306

FI (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/208 S ,  H01L 21/302 P