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J-GLOBAL ID：200903036961390265

面発光型半導体レーザおよびその製造方法

Inventor： 森 克己 ,  近藤 貴幸
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993049998
Publication number (International publication number)：1994244501
Application date： Feb. 16, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 反射ミラーとオーミック電極との間の空間からの光の洩れを防止して高い利得を得ることができる面発光型半導体レーザ、およびこれを高い歩留まりで製造することができる方法を提供する。【構成】 半導体層のうちの少なくともクラッド層107が柱状に形成されている光共振器と、柱状の前記半導体層の周囲に形成された埋込み層109と、光出射用の開口部118が形成され、500〜3,000オングストロームの膜厚を有するオーミック電極117と、このオーミック電極117と電気的に接続され、その膜厚が前記オーミック電極117の膜厚より大きいコンタクト電極122とを有する。前記一対の反射ミラーの一方は、前記開口部118内に形成された光射出ミラー部111aと、少なくともこの光出射ミラー部111aと前記オーミック電極117との境界領域を覆うカバーミラー部111bとを含む。

Claim (excerpt)：

半導体基板に垂直な方向に光を出射する面発光型半導体レーザにおいて、反射率の異なる一対の反射ミラーとそれらの間の多層の半導体層とを有し、前記半導体層のうちの少なくともクラッド層が一本または複数本の柱状に形成されている光共振器と、柱状の前記半導体層の周囲に形成された埋込み層と、光出射用の開口部が形成され、500〜3,000オングストロームの膜厚を有するオーミック電極と、このオーミック電極と電気的に接続され、その膜厚が前記オーミック電極の膜厚より大きいコンタクト電極と、を含み、前記一対の反射ミラーの一方は、前記光出射用の開口部内に形成された光射出ミラー部と、この光出射ミラー部に連続し少なくとも前記光出射ミラー部と前記オーミック電極との境界領域を覆うカバーミラー部とを含むことを特徴とする面発光型半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特表平7-507183
  
• 特開昭63-003679
  
• 半導体光反射層構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-078793   Applicant：日本電信電話株式会社
• 特開昭62-230107