Pat

J-GLOBAL ID：200903036977395500

熱電変換素子及びその製造方法

Inventor： 井上 隆治 ,  山田 正通 ,  藪田 勝久
Applicant, Patent owner： 日本特殊陶業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994334186
Publication number (International publication number)：1996148726
Application date： Dec. 15, 1994
Publication date： Jun. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】 熱電変換素子のP型半導体とN型半導体とのPN接合に関して、十分な接合強度を持つろう付け方法、及びそれを利用した熱電変換素子を提供することを目的とする。【構成】 鉄珪化物を主体とするP型半導体11とN型半導体12とをPN接合した構成からなる熱電変換素子において、該P型半導体11と該N型半導体12がAg-Cu-Ti系ろう材13によってろう付けされたPN接合部を有することを特徴とする熱電変換素子。該ろう材が重量比でTiを1〜15%含有するAg-Cu-Ti系ろう材であること。該接合部がろう材とAg、Cu拡散した鉄珪化物からなる接合反応層を介して接合されていること。

Claim (excerpt)：

鉄珪化物(FeSi2)を主体とするP型半導体とN型半導体とを接合した構成からなる熱電変換素子において、該P型半導体と該N型半導体がAg-Cu-Ti系ろう材によってろう付けされた接合部を有することを特徴とする熱電変換素子。

IPC (3)：

H01L 35/32 ,  G01K 7/02 ,  H01L 35/14